SK Hynix, Inc.

Логотип компании SK Hynix, Inc.
Год Доход, $ Прибыль, $ Активы, $ Капитализация, $ Число сотрудников, чел
2017 26 636 000 000 9 414 000 000 42 431 000 000 47 497 000 000 28 000
2018 36 760 000 000 14 120 000 000 57 060 000 000 47 540 000 000 33 000
2019 23 200 000 000 1 300 000 000 55 200 000 000 47 000 000 000 28 244
2020 27 041 000 000 4 030 000 000 65 482 000 000 84 200 000 000 36 900
2021 33 390 000 000 7 467 000 000 74 818 000 000 75 700 000 000 38 352
2022 34 651 000 000 1 740 000 000 80 662 000 000 40 700 000 000 39 000
2023 22 625 000 000 -6 310 000 000 69 278 000 000 77 400 000 000 39 810
2024 45 707 000 000 13 670 000 000 82 761 000 000 81 730 000 000 40 100

Южнокорейский SK Hynix, Inc. занимается производством и продажей полупроводниковой продукции. Компания создает динамическую память с произвольным доступом, флэш-память, дополнительные датчики изображений с металлическим оксидом и т.д. Штаб квартира компании находится в г. Ичхон, Южная Корея.

На фоне активного спроса на полупроводники памяти для искусственного интеллекта компания SK hynix использовала свое технологическое превосходство в области HBM и подход к управлению, ориентированный на прибыльность, чтобы достичь этих исторических высот. HBM стимулировал рост за счет дифференцированной конкурентоспособности продуктов, а твердотельные накопители для предприятий (eSSD) также продемонстрировали значительный рост. В связи с увеличением инвестиций ведущих технологических компаний в серверы искусственного интеллекта и растущей важностью возможностей искусственного интеллекта, ожидается, что спрос на HBM, незаменимый для высокопроизводительных вычислений, и серверную DRAM большой емкости будет постоянно расти.

В 2024 году SK Hynix упрочил свое лидерство на рынке, став пионером в области технологий памяти для искусственного интеллекта. В марте 2024 года компания начала массовое производство HBM пятого поколения (HBM3E), а также разработку 12-слойной версии HBM3E и 16-слойной версии. В марте 2025 года компания SK Hynix досрочно предоставила образцы 12-слойного продукта HBM четвертого поколения (HBM4) своим основным клиентам. Помимо HBM, компания ускорила инновации в области решений NAND, ориентированных на ИИ. После успешной разработки «ZUFS 4.0» для On-Device AI и SSD «PCB01» для ИИ-ПК, SK Hynix также успешно разработал новые продукты для центров обработки данных и продемонстрировал свои технологические возможности, начав массовое производство «321-слойного NAND» с самым большим в мире количеством слоев. Кроме того, SK Hynix последовательно готовил решения для памяти искусственного интеллекта следующего поколения, такие как ускорительная карта «AiMX» на базе PIM и решение «CMMAx» на базе CXL. Компания будет стремиться лидировать в области технологий памяти для искусственного интеллекта в ответ на растущий спрос на искусственный интеллект, стремясь еще больше укрепить свое лидерство на рынке.


SK hynix продолжает обеспечивать факторы роста, осуществляя постоянные инвестиции в будущее развитие. Завершено строительство завода M15X на территории кампуса в Чонджу, а строительство первого завода в кластере Йонгин началось в феврале 2025 года и должно быть завершено к маю 2027 года. Расширяя свое глобальное присутствие, в апреле 2024 года было заключено инвестиционное соглашение о создании передового завода по производству упаковки для памяти искусственного интеллекта в Вест-Лафайет, штат Индиана, США, в сочетании с сотрудничеством в области исследований и разработок полупроводников с местными исследовательскими организациями, включая Университет Пердью.

Компания была основана в 1983 году компанией Hyundai и называлась Hyundai Electronics Industries. В 1999 году компанию приобрела LG Semiconductor из LG Group. Он сменил свое название на Hynix Semiconductor в 2001 году. В 2001 году компания попала под контроль финансовых учреждений на фоне проблем баланса и реструктуризации. В 2011 году компания попала под эгиду ведущего южнокорейского оператора мобильной связи SK Telecom, принадлежащая SK Group. Он изменил свое название на SK Hynix в 2012 году.

Продукция.

SK hynix Inc. является ведущим мировым поставщиком полупроводников, предлагающим чипы динамической памяти с произвольным доступом («DRAM»), чипы флэш-памяти («NAND Flash») и CMOS-датчики изображения («CIS») для широкого круга известных клиентов по всему миру.

DRAM.

(GDDR) Графическая память, которая быстро отслеживает и обрабатывает сложные графические данные для реалистичной визуализации.
(GDDR) Графическая память, которая быстро отслеживает и обрабатывает сложные графические данные для реалистичной визуализации.

SSD.

NAND.

MCP.

CXL.

Compute Express Link (CXL), использующий интерфейс PCIe (Peripheral Component Interconnect Express), — это новый стандартизированный интерфейс, который помогает повысить эффективность процессоров, графических процессоров, ускорителей и памяти. Ключевое преимущество памяти CXL заключается в масштабируемости: CXL позволяет гибко расширять память, чего не позволяют существующие серверные системы, в которых объем памяти и производительность фиксированы на момент внедрения конкретной серверной платформы. Потенциал роста CXL безграничен, поскольку это многообещающий новый интерфейс для высокопроизводительных вычислительных систем, на которых работают приложения искусственного интеллекта и больших данных.

Первая память CXL от SK hynix, CMM-DDR5, представляет собой карту объемом 96 ГБ, состоящую из 24-гигабитных микросхем DDR5 DRAM, построенных по новейшей технологии 1нм. Решение, упакованное в формате EDSFF (Enterprise and Datacenter Standard Form Factor) E3.S, поддерживает линии PCIe 5.0 x8, стандартную память DDR5 DRAM и встроенные контроллеры CXL.

Новая эра расширения памяти с CXL.

Глобальная сеть SK hynix Inc.

Глобальная сеть SK hynix Inc.